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? ? ? ?mos管三個工作區為完全導通區、截止區、線性區

MOSFET工作區域的判定方法（NMOS）：

當 Vgs < Vth 時，截止區。

當 Vgs > Vth 且 Vds < Vgs - Vth 時，變阻區。

當 Vgs > Vth 且 Vds > Vgs - Vth 時，飽和區(恒流區)。

其中 Vth 是 MOS管 的一個重要參數——開啟電壓。

當MOS管 工作在變阻區內時，其溝道是“暢通”的，相當于一個導體。在 Vds Vds < Vgs - Vth時近似滿足V-I的線性關系，即有一個近似固定的阻值。此阻值受 Vgs 控制，故稱變阻區域。

MOS管 工作在飽和區（恒流區）與 BJT 的飽和區不同，稱 MOS管此區為飽和區，主要表示 Vds 增加 Id 卻幾乎不再增加——也即電流飽和。其實在此飽和區內，MOS管 和 BJT 都處于受控恒流狀態，故也稱其為恒流區。

N溝道增強型MOS管的四個區域

1）可變電阻區（也稱非飽和區）

滿足Ucs》Ucs（th）（開啟電壓），uDs《UGs-Ucs（th），為圖中預夾斷軌跡左邊的區域其溝道開啟。在該區域UDs值較小，溝道電阻基本上僅受UGs控制。當uGs一定時，ip與uDs成線性關系，該區域近似為一組直線。這時場效管D、S間相當于一個受電壓UGS控制的可變電阻。

2）恒流區（也稱飽和區、放大區、有源區）

滿足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），為圖中預夾斷軌跡右邊、但尚未擊穿的區域，在該區域內，當uGs一定時，ib幾乎不隨UDs而變化，呈恒流特性。i僅受UGs控制，這時場效應管D、S間相當于一個受電壓uGs控制的電流源。場效應管用于放大電路時，一般就工作在該區域，所以也稱為放大區。

3）夾斷區（也稱截止區）

夾斷區（也稱截止區）滿足ucs《Ues（th）為圖中靠近橫軸的區域，其溝道被全部夾斷，稱為全夾斷，io=0，管子不工作。

4）擊穿區位

擊穿區位于圖中右邊的區域。隨著UDs的不斷增大，PN結因承受太大的反向電壓而擊穿，ip急劇增加。工作時應避免管子工作在擊穿區。

轉移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點對應的i、Us值在ib- Uss 坐標中連成曲線，即得到轉移性曲線，如圖3（b）所示。