131 1300 0010
5、意法（ST）半導體PowerSO-8封裝
意法半導體功率MOSFET芯片封裝技術有SO-8、PowerSO-8、PowerFLAT、DirectFET、PolarPAK等，其中PowerSO-8正是SO-8的改進版，此外還有PowerSO-10、PowerSO-20、TO-220FP、H²PAK-2等封裝。
意法半導體Power SO-8封裝
6、飛兆（Fairchild）半導體Power 56封裝
Power 56是Farichild的專用稱呼，正式名稱為DFN 5×6。其封裝面積跟常用的TSOP-8不相上下，而薄型封裝又節約元件凈空高度，底部Thermal-Pad設計降低了熱阻，因此很多功率器件廠商都部署了DFN 5×6。
Fairchild Power 56封裝
7、國際整流器（IR）Direct FET封裝
Direct FET能在SO-8或更小占位面積上，提供高效的上部散熱，適用于計算機、筆記本電腦、電信和消費電子設備的AC-DC及DC-DC功率轉換應用。與標準塑料分立封裝相比，DirectFET的金屬罐構造具有雙面散熱功能，因而可有效將高頻DC-DC降壓式轉換器的電流處理能力增加一倍。
Direct FET封裝屬于反裝型，漏極（D）的散熱板朝上，并覆蓋金屬外殼，通過金屬外殼散熱。Direct FET封裝極大地改善了散熱，并且占用空間更小，散熱良好。
國際整流器Direct FET封裝
IR Direct FET封裝系列部分產品規格
內部封裝改進方向
除了外部封裝，基于電子制造對MOS管的需求的變化，內部封裝技術也在不斷得到改進，這主要從三個方面進行：改進封裝內部的互連技術、增加漏極散熱板、改變散熱的熱傳導方向。
1、封裝內部的互連技術
TO、D-PAK、SOT、SOP等采用焊線式的內部互連封裝技術，當CPU或GPU供電發展到低電壓、大電流時代，焊線式的SO-8封裝就受到了封裝電阻、封裝電感、PN結到PCB和外殼熱阻等因素的限制。
SO-8內部封裝結構
這四種限制對其電學和熱學性能有著極大的影響。隨著電流密度的提高，MOSFET廠商在采用SO-8尺寸規格時，同步對焊線互連形式進行了改進，用金屬帶、或金屬夾板代替焊線，以降低封裝電阻、電感和熱阻。
標準型SO-8與無導線SO-8封裝對比
國際整流器（IR）的改進技術稱之為Copper Strap；威世（Vishay）稱之為Power Connect技術；飛兆半導體則叫做Wireless Package。新技術采用銅帶取代焊線后，熱阻降低了10-20%，源極至封裝的電阻降低了61%。
國際整流器的Copper Strap技術
威世的Power Connect技術
飛兆半導體的Wirless Package技術
2、增加漏極散熱板
標準的SO-8封裝采用塑料將芯片包圍，低熱阻的熱傳導通路只是芯片到PCB的引腳。而底部緊貼PCB的塑料外殼是熱的不良導體，故而影響了漏極的散熱。
技術改進就是要除去引線框下方的塑封化合物，方法是讓引線框金屬結構直接或加一層金屬板與PCB接觸，并焊接到PCB焊盤上，這樣就提供了更多的散熱接觸面積，把熱量從芯片上帶走；同時也可以制成更薄的器件。
威世Power-PAK技術
威世的Power-PAK、法意半導體的Power SO-8、安美森半導體的SO-8 Flat Lead、瑞薩的WPAK/LFPAK、飛兆半導體的Power 56和Bottomless Package都采用了此散熱技術。
3、改變散熱的熱傳導方向
Power-PAK的封裝雖然顯著減小了芯片到PCB的熱阻，但當電流需求繼續增大時，PCB同時會出現熱飽和現象。所以散熱技術的進一步改進就是改變散熱方向，讓芯片的熱量傳導到散熱器而不是PCB。
瑞薩LFPAK-i封裝
瑞薩的LFPAK-I封裝、國際整流器的Direct FET封裝均是這種散熱技術的典型代表。
總結
未來，隨著電子制造業繼續朝著超薄、小型化、低電壓、大電流方向的發展，MOS管的外形及內部封裝結構也會隨之改變，以更好適應制造業的發展需求。另外，為降低電子制造商的選用門檻，MOS管向模塊化、系統級封裝方向發展的趨勢也將越來越明顯，產品將從性能、成本等多維度協調發展。
而封裝作為MOS管選型的重要參考因素之一，不同的電子產品有不同的電性要求，不同的安裝環境也需要匹配的尺寸規格來滿足。實際選用中，應在大原則下，根據實際需求情況來做抉擇。
有些電子系統受制于PCB的尺寸和內部的高度，如通信系統的模塊電源由于高度的限制通常采用DFN5*6、DFN3*3的封裝；在有些ACDC的電源中，使用超薄設計或由于外殼的限制，適于裝配TO220封裝的功率MOS管，此時引腳可直接插到根部，而不適于使用TO247封裝的產品；也有些超薄設計需要將器件管腳折彎平放，這會加大MOS管選用的復雜度。
