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5、小外形封裝（SOP）
SOP（Small Out-Line Package）是表面貼裝型封裝之一，也稱之為SOL或DFP，引腳從封裝兩側(cè)引出呈海鷗翼狀(L字形)。材料有塑料和陶瓷兩種。
SOP封裝標(biāo)準(zhǔn)有SOP-8、SOP-16、SOP-20、SOP-28等，SOP后面的數(shù)字表示引腳數(shù)。MOSFET的SOP封裝多數(shù)采用SOP-8規(guī)格，業(yè)界往往把“P”省略，簡(jiǎn)寫為SO（Small Out-Line）。
SOP-8封裝尺寸
SO-8為PHILIP公司率先開發(fā)，采用塑料封裝，沒(méi)有散熱底板，散熱不良，一般用于小功率MOSFET。
后逐漸派生出TSOP（薄小外形封裝）、VSOP（甚小外形封裝）、SSOP（縮小型SOP）、TSSOP（薄的縮小型SOP）等標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格；其中TSOP和TSSOP常用于MOSFET封裝。
常用于MOS管的SOP派生規(guī)格
6、方形扁平式封裝（QFP）
QFP（Plastic Quad Flat Package）封裝的芯片引腳之間距離很小，管腳很細(xì)，一般在大規(guī)模或超大型集成電路中采用，其引腳數(shù)一般在100個(gè)以上。
用這種形式封裝的芯片必須采用SMT表面安裝技術(shù)將芯片與主板焊接起來(lái)。該封裝方式具有四大特點(diǎn)：
①適用于SMD表面安裝技術(shù)在PCB電路板上安裝布線；
②適合高頻使用；
③操作方便,可靠性高；
④芯片面積與封裝面積之間的比值較小。
與PGA封裝方式一樣，該封裝方式將芯片包裹在塑封體內(nèi)，無(wú)法將芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量及時(shí)導(dǎo)出，制約了MOSFET性能的提升；而且塑封本身增加了器件尺寸，不符合半導(dǎo)體向輕、薄、短、小方向發(fā)展的要求；另外，此類封裝方式是基于單顆芯片進(jìn)行，存在生產(chǎn)效率低、封裝成本高的問(wèn)題。
因此，QFP更適于微處理器/門陳列等數(shù)字邏輯LSI電路采用，也適于VTR信號(hào)處理、音響信號(hào)處理等模擬LSI電路產(chǎn)品封裝。
7、四邊無(wú)引線扁平封裝（QFN）
QFN（Quad Flat Non-leaded package）封裝四邊配置有電極接點(diǎn)，由于無(wú)引線，貼裝表現(xiàn)出面積比QFP小、高度比QFP低的特點(diǎn)；其中陶瓷QFN也稱為L(zhǎng)CC（Leadless Chip Carriers），采用玻璃環(huán)氧樹脂印刷基板基材的低成本塑料QFN則稱為塑料LCC、PCLC、P-LCC等。
是一種焊盤尺寸小、體積小、以塑料作為密封材料的新興表面貼裝芯片封裝技術(shù)。
QFN主要用于集成電路封裝，MOSFET不會(huì)采用。不過(guò)因Intel提出整合驅(qū)動(dòng)與MOSFET方案，而推出了采用QFN-56封裝（“56”指芯片背面有56個(gè)連接Pin）的DrMOS。
需要說(shuō)明的是，QFN封裝與超薄小外形封裝(TSSOP)具有相同的外引線配置，而其尺寸卻比TSSOP的小62%。根據(jù)QFN建模數(shù)據(jù)，其熱性能比TSSOP封裝提高了55%，電性能(電感和電容)比TSSOP封裝分別提高了60%和30%。最大的缺點(diǎn)則是返修難度高。
采用QFN-56封裝的DrMOS
隨著技術(shù)的革新與進(jìn)步，把驅(qū)動(dòng)器和MOSFET整合在一起，構(gòu)建多芯片模塊已經(jīng)成為了現(xiàn)實(shí)，這種整合方式同時(shí)可以節(jié)省相當(dāng)可觀的空間從而提升功耗密度，通過(guò)對(duì)驅(qū)動(dòng)器和MOS管的優(yōu)化提高電能效率和優(yōu)質(zhì)DC電流，這就是整合驅(qū)動(dòng)IC的DrMOS。
瑞薩第2代DrMOS
經(jīng)過(guò)QFN-56無(wú)腳封裝，讓DrMOS熱阻抗很低；借助內(nèi)部引線鍵合以及銅夾帶設(shè)計(jì)，可最大程度減少外部PCB布線，從而降低電感和電阻。
另外，采用的深溝道硅(trench silicon)MOSFET工藝，還能顯著降低傳導(dǎo)、開關(guān)和柵極電荷損耗；并能兼容多種控制器，可實(shí)現(xiàn)不同的工作模式，支持主動(dòng)相變換模式APS（Auto Phase Switching）。
除了QFN封裝外，雙邊扁平無(wú)引腳封裝（DFN）也是一種新的電子封裝工藝，在安森美的各種元器件中得到了廣泛采用，與QFN相比，DFN少了兩邊的引出電極。
8、塑封有引線芯片載體(PLCC)
PLCC（Plastic Quad Flat Package）外形呈正方形，尺寸比DIP封裝小得多，有32個(gè)引腳，四周都有管腳，引腳從封裝的四個(gè)側(cè)面引出，呈丁字形，是塑料制品。
其引腳中心距1.27mm，引腳數(shù)從18到84不等，J形引腳不易變形，比QFP容易操作，但焊接后的外觀檢查較為困難。PLCC封裝適合用SMT表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線，具有外形尺寸小、可靠性高的優(yōu)點(diǎn)。
PLCC封裝是比較常見(jiàn)，用于邏輯LSI、DLD(或程邏輯器件)等電路，主板BIOS常采用的這種封裝形式，不過(guò)目前在MOS管中較少見(jiàn)。
PLCC封裝樣式
主流企業(yè)的封裝與改進(jìn)
由于CPU的低電壓、大電流的發(fā)展趨勢(shì)，對(duì)MOSFET提出輸出電流大，導(dǎo)通電阻低，發(fā)熱量低散熱快，體積小的要求。MOSFET廠商除了改進(jìn)芯片生產(chǎn)技術(shù)和工藝外，也不斷改進(jìn)封裝技術(shù)，在與標(biāo)準(zhǔn)外形規(guī)格兼容的基礎(chǔ)上，提出新的封裝外形，并為自己研發(fā)的新封裝注冊(cè)商標(biāo)名稱。
1、瑞薩（RENESAS）WPAK、LFPAK和LFPAK-I封裝
WPAK是瑞薩開發(fā)的一種高熱輻射封裝，通過(guò)仿D-PAK封裝那樣把芯片散熱板焊接在主板上，通過(guò)主板散熱，使小形封裝的WPAK也可以達(dá)到D-PAK的輸出電流。WPAK-D2封裝了高/低2顆MOSFET，減小布線電感。
瑞薩WPAK封裝尺寸
LFPAK和LFPAK-I是瑞薩開發(fā)的另外2種與SO-8兼容的小形封裝。LFPAK類似D-PAK，但比D-PAK體積小。LFPAK-i是將散熱板向上，通過(guò)散熱片散熱。
瑞薩LFPAK和LFPAK-I封裝
2、威世（Vishay）Power-PAK和Polar-PAK封裝
Power-PAK是威世公司注冊(cè)的MOSFET封裝名稱。Power-PAK包括有Power-PAK1212-8、Power-PAK SO-8兩種規(guī)格。
威世Power-PAK1212-8封裝
威世Power-PAK SO-8封裝
Polar PAK是雙面散熱的小形封裝，也是威世核心封裝技術(shù)之一。Polar PAK與普通的so-8封裝相同，其在封裝的上、下兩面均設(shè)計(jì)了散熱點(diǎn)，封裝內(nèi)部不易蓄熱，能夠?qū)⒐ぷ麟娏鞯碾娏髅芏忍岣咧罶O-8的2倍。目前威世已向意法半導(dǎo)體公司提供Polar PAK技術(shù)授權(quán)。
威世Polar PAK封裝
3、安森美（Onsemi）SO-8和WDFN8扁平引腳（Flat Lead）封裝
安美森半導(dǎo)體開發(fā)了2種扁平引腳的MOSFET，其中SO-8兼容的扁平引腳被很多板卡采用。安森美新近推出的NVMx和NVTx功率MOSFET就采用了緊湊型DFN5(SO-8FL)和WDFN8封裝，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低QG和電容，可將驅(qū)動(dòng)器損耗降到最低的特性。
安森美SO-8扁平引腳封裝
安森美WDFN8封裝
4、恩智浦（NXP）LFPAK和QLPAK封裝
恩智浦（原Philps）對(duì)SO-8封裝技術(shù)改進(jìn)為L(zhǎng)FPAK和QLPAK。其中LFPAK被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝；而QLPAK具有體積小、散熱效率更高的特點(diǎn)，與普通SO-8相比，QLPAK占用PCB板的面積為6*5mm，同時(shí)熱阻為1.5k/W。
恩智浦LFPAK封裝
恩智浦QLPAK封裝
