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MOS管開通的時候，開啟的速度主要取決于二極管的反向特性。
因此MOS管關斷的時間需要我們去優化，放電曲線取決于Rgate，Rgate越小則關斷越快。下面有好幾個方案：
1.二極管關斷電路
這是最簡單的加速電路。Rgate調整著MOS管的開啟速度，當關斷的時候，由二極管短路電阻，此時G極電流最小為：Imin=Vf/Rgate。
此電路的優點是大大加速了關斷的速度，但是它僅在電壓高的時候工作，且電流仍舊流向驅動器。
2.PNP關斷電路
這是最流行和通用的電路，利用PNP的管子，在關斷期間，源極和柵極被短路了。二極管提供了開啟時候的電流通路（并且有保護PNP管子eb免受反向電壓的影響），Rgate限制了開啟的速度。
電路的最大的好處是放電電流的尖峰被限制在最小的環路中，電流并不返回至驅動器，因此也不會造成地彈的現象，驅動器的功率也小了一半，三極管的存在減小了回路電感。仔細看這個電路其實是圖騰柱結構的簡化，電路的唯一的缺點是柵極電壓并不釋放到0V，而是存在EC極的壓差。
3.NPN關斷電路
優點和上面的PNP管子相同，缺點是加入了一個反向器，加入反向器勢必會造成延遲。
4.NMOS關斷電路
這個電路可以使得MOS管關斷非常快，并且柵極電壓完全釋放至零電壓。不過小NMOS管子需要一個方向電壓來驅動。問題也存在，NMOS的Coss電容和主MOS管的CISS合成變成等效的電容了
