最近參與到一款路由產品的硬件開發中，其中一項是客戶需要非標準POE供電，可輸出的POE供電電壓為12/24/30/48V切換，最大輸出功率設計為24W，電路采用反激式電源方案（電源芯片MP3910，芯片廠商提供方案），在調試該部分電路時出現MOS管（NMOS，SUD50N06）發熱嚴重，輸出電壓非帶載時正常，帶載時（開始帶載50%）,MOS管發熱嚴重，輸出電壓被拉低，不論是輸出哪一路電壓，輸出只有9V左右，TLV431的穩壓值只有1V左右（正常選擇的型號Vref=2.5V），開始一直覺得問題出在TLV431上，后來換了板子竟發現可以正常穩壓（應該是上一個板子變壓器和MOS管出現問題，但沒回去驗證），但是mos管很燙，帶載不到十秒鐘就會冒煙，后來經過與芯片方案的FAE溝通才發現，MSP3910的驅動MOS管的引腳gate腳與MOS管之間的限流電阻用錯物料，原理圖是4.99歐，但實際用的是4.99K，更換電阻后可輸出正常電壓，MOS管也不會很燙，下面是解決問題思路：
一、用示波器觀察所用MOS管的G極波形，如圖一所示 ，上升時間接近1.32us，下降時間接近<160ns（實測50ns），再看如圖二所示的手冊中對MOS驅動上升下降沿要求，上升時間要求<35ns，下降時間<80ns，可得結論：上升時間過長導致MOS管工作為線性狀態，非開關狀態（參看總結一），MOS管開通過程時間太長直接導致了MOS管的發熱嚴重。
二、解決：更換驅動限流電阻（圖二中Rg），由于當時手里當時沒有4.99歐電阻，更換為22歐的電阻后，G極波形如圖三所示，Ton和Toff已經接近圖二要求的時間，MOS管24V時帶載27歐，輸出功率21.3W，輸出電壓正常，MOS管基本不發熱。
圖一
圖二
圖三
總結一：MOS管發熱原因小結（此處從網上搜集）
1、電路設計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤；（本次產品測試問題點雖然不是出在電路設計上，但BOM做錯比設計錯誤往往更難分析）
2、頻率太高，主要是有時過分追求體積，導致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發熱也加大了；
3、沒有做好足夠的散熱設計，電流太高，MOS管標稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發熱嚴重，需要足夠的輔助散熱片；
4、MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內阻沒有充分考慮，導致開關阻抗增大。
總結二：MOS管工作狀態分析
MOS管工作狀態有四種，開通過程、導通狀態、關斷過程，截止狀態；
MOS管主要損耗：開關損耗，導通損耗，截止損耗，還有雪崩能量損耗，開關損耗往往大于后者；
MOS管主要損壞原因：過流（持續大電流或瞬間超大電流），過壓（D-S，G-S被擊穿），靜電（個人認為可屬于過壓）；
總結三：MOS管工作過程分析
MOS管工作過程非常復雜，里面變量很多，總之開關慢不容易導致米勒震蕩（介紹米勒電容，米勒效應等，很詳細），但開關損耗會加大，發熱大；開關的速度快，損耗會減低，但是米勒震蕩很厲害，反而會使損耗增加。驅動電路布線和主回路布線要求很高，最終就是尋找一個平衡點，一般開通過程不超過1us；
總結四：MOS管的重要參數及選型
Qgs：柵極從0V充電到對應電流米勒平臺時總充入電荷，這個時候給Cgs充電（相當于Ciss，輸入電容）；
Qgd：整個米勒平臺的總充電電荷（不一定比Qgs大，僅指米勒平臺）；
Qg：總的充電電荷，包含Qgs，Qgd，以及之外的其它；
上述三個參數的單位是nc（納庫），一般為幾nc到幾十nc；
Rds（on）：導通內阻，這個耐壓一定情況下，越小損耗；
總的選型規則：Qgs、Qgd、Qg較小，Rds（on）也較小的管.
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