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MOS管，即在集成電路中絕緣性場效應(yīng)管。MOS英文全稱為金屬-氧化物-半導(dǎo)體，描述了集成電路中的結(jié)構(gòu)，即：在一定結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件上，加上二氧化硅和金屬，形成柵極。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。
MOS管的工作原理（以N溝道增強型MOS場效應(yīng)管）它是利用VGS來控制“感應(yīng)電荷”的多少，以改變由這些“感應(yīng)電荷”形成的導(dǎo)電溝道的狀況，然后達到控制漏極電流的目的。在制造管子時，通過工藝使絕緣層中出現(xiàn)大量正離子，故在交界面的另一側(cè)能感應(yīng)出較多的負(fù)電荷，這些負(fù)電荷把高滲雜質(zhì)的N區(qū)接通，形成了導(dǎo)電溝道，即使在VGS=0時也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓改變時，溝道內(nèi)被感應(yīng)的電荷量也改變，導(dǎo)電溝道的寬窄也隨之而變，因而漏極電流ID隨著柵極電壓的變化而變化。
優(yōu)質(zhì)的MOS管可以接受的電流峰值更高。普通狀況下我們要判別主板上MOS管的質(zhì)量上下，能夠看它能接受的最大電流值。影響MOS管質(zhì)量上下的參數(shù)十分多，像極端電流、極端電壓等。但在MOS管上無法標(biāo)注這么多參數(shù)，所以在MOS管外表普通只標(biāo)注了產(chǎn)品的型號，我們能夠依據(jù)該型號上網(wǎng)查找詳細的性能參數(shù)。還要闡明的是，溫度也是MOS管一個十分重要的性能參數(shù)。主要包括環(huán)境溫度、管殼溫度、貯成溫度等。由于CPU頻率的進步，MOS管需求接受的電流也隨著加強，提供近百A的電流曾經(jīng)很常見了。如此宏大的電流經(jīng)過時產(chǎn)生的熱量當(dāng)然使MOS管“發(fā)燒”了。為了MOS管的平安，高質(zhì)量主板也開端為MOS管加裝散熱片了。
G極，不用說比較好認(rèn)。
S極，不論是p溝道還是N溝道，兩根線相交的就是；
D極，不論是p溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。
判定柵極G：將萬用表撥至R&TImes;1k檔，用萬用表的負(fù)極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻。若兩次測得的電阻值近似相等，則負(fù)表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極。漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道；若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
1、用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導(dǎo)通電壓。
2、因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。
3、利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。
4、大都源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。
5、大都封莊為字面對自已時，左柵中漏右源。以上前三點必需掌握，后兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。
如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準(zhǔn)確判定腳的排列，才能正確使用。
①柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。
②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：
a．若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?（0×10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。
b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。
1.電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)電路狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計電路的最忌諱的錯誤。
2.頻率太高，主要是有時過分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。
3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達到。所以ID小于最大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。
4.MOS管的選型有誤，對功率判斷有誤，MOS管內(nèi)阻沒有充分考慮，導(dǎo)致開關(guān)阻抗增大。
MOS管可以用作可變電阻也可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。且場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源也可以用作電子開關(guān)。
有些場效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
在一般電子電路中，通常被用于放大電路或開關(guān)電路。而在主板上的電源穩(wěn)壓電路中，MOSFET扮演的角色主要是判斷電位，它在主板上常用“Q”加數(shù)字表示。
