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上篇博文主要分析未進(jìn)行保護(hù)的反激電源開關(guān)過程分析，這回主要介紹RCD電路的影響。
先分析過程：
對(duì)應(yīng)電路模型：
我們可以定性的分析一下電路參數(shù)的選擇對(duì)電路的暫態(tài)響應(yīng)的影響：
1.RCD電容C偏大
電容端電壓上升很慢，因此導(dǎo)致mos 管電壓上升較慢，導(dǎo)致mos管關(guān)斷至次級(jí)導(dǎo)通的間隔時(shí)間過長(zhǎng)，變壓器能量傳遞過程較慢，相當(dāng)一部分初級(jí)勵(lì)磁電感能量消耗在RC電路上 。
波形分析為：
2.RCD電容C特別大（導(dǎo)致電壓無法上升至次級(jí)反射電壓）
電容電壓很小，電壓峰值小于次級(jí)的反射電壓，因此次級(jí)不能導(dǎo)通，導(dǎo)致初級(jí)能量全部消耗在RCD電路中的電阻上，因此次級(jí)電壓下降后達(dá)成新的平衡，理論計(jì)算無效了，輸出電壓降低。
3.RCD電阻電容乘積R×C偏小
電壓上沖后，電容上儲(chǔ)存的能量很小，因此電壓很快下降至次級(jí)反射電壓，電阻將消耗初級(jí)勵(lì)磁電感能量，直至mos管開通后，電阻才緩慢釋放電容能量，由于RC較小，因此可能出現(xiàn)震蕩，就像沒有加RCD電路一樣。
4.RCD電阻電容乘積R×C合理，C偏小
如果參數(shù)選擇合理，mos管開通前，電容上的電壓接近次級(jí)反射電壓，此時(shí)電容能量泄放完畢，缺點(diǎn)是此時(shí)電壓尖峰比較高，電容和mos管應(yīng)力都很大
5.RCD電阻電容乘積R×C合理，R，C都合適
在上面的情況下，加大電容，可以降低電壓峰值，調(diào)節(jié)電阻后，使mos管開通之前，電容始終在釋放能量，與上面的最大不同，還是在于讓電容始終存有一定的能量。
以上均為定性分析，實(shí)際計(jì)算還是單獨(dú)探討后整理，需要做仿真驗(yàn)證。
