1、旁路瓷片電容器的電容不能太大,而它的寄生串聯(lián)電感應盡量小,多個電容并聯(lián)能改善電容的阻抗特性;
2、電感的寄生并聯(lián)電容應盡量小,電感引腳焊盤之間的距離越遠越好;
3、避免在地層上放置任何功率或信號走線;
4、高頻環(huán)路的面積應盡可能減小;
5、過孔放置不應破壞高頻電流在地層上的路徑;
6、系統(tǒng)板上一小同電路需要不同接地層,小同電路的接地層通過單點與電源接地層相連接;
7、控制芯片至上端和下端場效應管的驅動電路環(huán)路要盡量短;
8、開關電源功率電路和控制信號電路元器件需要連接到小同的接地層,這二個地層一般都是通過單點相連接。
1、Y電容放置在需要吸收的地方,接地越近越好,但也要考濾具體的設備結構而定,但有一個原側就是接地點不要遠離Y電容中心接地端。
2、控制IC的CS腳與MOS和S極間的電阻應靠近MOS的S極,因為在此電阻上獲取取樣較低的電壓,距MOS的S極遠,總電阻會增加而產生誤差,另外也容易受到外部的影響受到干擾,這也要看具體電路,如同步整流電路UCC28950就不是這樣,CS分流電阻就離IC很近,原因是CS信號電壓比較高,總的原側是看哪邊的電壓比較低,IC的CS端就靠近哪邊,但在開關電源中CS電阻一定要在SOM最近的接地處。
3、驅動電路應靠近控制IC,因為IC輸出的電壓不是很高,而驅動電路輸出的電壓相對比控制IC輸出的電壓高很多,受到外界影響要小很多。
4、初次極的吸收電路電阻靠近交流輸入電壓端為好(如經過濾波的+310),因為電阻含有電感成份,易受外部干擾,也同時干擾其它電路,該電阻遠離開關元件(如MOS端),次極則是電阻靠近低電壓處,如電解的負極接地處。