·由等效電容造成的反向恢復電荷很少，所以硅二極管中常常出現反向峰值電流幾乎不再存在；
·無論負載電流，還是溫度變化，反向電荷產生的電流變化率di/dt低至為零；
·工作結溫可高于200℃。
由于采用碳化硅制造的二極管比硅基二極管貴得多，所以還沒有廣泛應用。據預計在中長期內，硅半導體的價格仍將優(yōu)于碳化硅半導體，所以至少在中期內，碳化硅半導體主要應用于那些能夠為整個系統(tǒng)帶來成本降低或性能提升的場合。
碳化硅肖特基二極管內部結構如圖1所示。左邊的一幅圖是傳統(tǒng)的碳化硅肖特基二極管。中間的圖是帶PIN結構的MPS二極管的結構，它的特點是在肖特基接觸區(qū)增加了一些P型結構。相比于標準的碳化硅肖特基二極管來說，這些結構有利于提高它的浪涌電流的抑制和雪崩電阻率。
碳化硅肖特基二極管的兩種內部結構和電路符號如圖1所示，在高摻雜N+陰極電極和低摻雜N-外延層之間插入了一個N型摻雜層。這一層叫作電場終止層，主要用器件在阻斷狀態(tài)下承受電場。這使得外延層可以做得更薄，在相同的電場強度下可以減低導通損耗。這一技術不僅僅用于肖特基二極管，也用于IGBT和功率PN二極管。
