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  • 英特爾發表名為Foveros的全新3D封裝技術
    英特爾發表名為Foveros的全新3D封裝技術
  • 英特爾發表名為Foveros的全新3D封裝技術
  •   發布日期: 2018-12-18  瀏覽次數: 1,383

    英特爾登高一呼 SiP成主打星

    半導體龍頭英特爾在上周召開的架構日(Architecture Day)中發表名為Foveros的全新3D封裝技術,首次采用3D芯片堆棧的系統級封裝(SiP),來實現邏輯對邏輯(logic-on-logic)的芯片異質整合。業界指出,英特爾登高一呼等于確定了未來SiP將是異質芯片整合主流,掌握SiP技術及產能的日月光投控(3711)將成為最大受惠者。英特爾在架構日中宣布及展示了新一代中央處理器(CPU)微架構Sunny Cove,不僅可以提高一般運算任務的單一頻率效能和功耗效率,也包含加速人工智能(AI)和加密等特殊用途運算任務的新功能。同時,英特爾也推出全新Gen 11整合式繪圖芯片。首款整合Sunny Cove微架構處理器及Gen 11繪圖處理器(GPU)核心的產品,將是明年底推出的10奈米制程Ice Lake處理器。

     

    另外值得市場關注的焦點,則是英特爾發表名為Foveros的全新3D封裝技術。英特爾Foveros是以3D堆棧的SiP為主體,為結合高效能、高密度、低功耗芯片制程技術的裝置和系統奠定了基礎。Foveros預期可首度將3D芯片堆棧從傳統的被動硅中介層(passive interposer)和堆棧內存,擴展到CPU、GPU、AI等高效能邏輯運算芯片。

    英特爾Foveros技術提供極大的彈性,因為設計人員希望在新的裝置設計中「混搭」(mix and match)硅智財(IP)模塊、各種內存和I/O組件,而這項3D封裝技術允許將產品分解成更小的「小芯片」(chiplet),其中I/O、SRAM、電源傳輸電路可以建入底層芯片(base die)當中,高效能邏輯芯片則堆棧于其上。

    英特爾預計2019年下半年開始使用Foveros推出一系列產品。首款Foveros產品將結合高效能10奈米運算堆棧小芯片和低功耗22奈米22FFL制程的底層芯片。而這是繼英特爾在2018年推出突破性的嵌入式多芯片互連橋接(EMIB)2D封裝技術之后,Foveros將再次展現技術上的大幅躍升。英特爾Foveros技術以3D堆棧的SiP封裝來進行異質芯片整合,也說明了SiP將成為后摩爾定律時代重要的解決方案,芯片不再強調制程微縮,而是將不同制程芯片整合為一顆SiP模塊。法人指出,在英特爾及臺積電等大廠力拱SiP技術下,未來如何導入量產成為關鍵,掌握龐大SiP技術專利及產能的日月光投控,可望成為未來SiP風潮下的最大受惠廠商。


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