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    華虹半導(dǎo)體第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)成功量
  • 華虹半導(dǎo)體第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)成功量
  •   發(fā)布日期: 2018-10-10  瀏覽次數(shù): 1,142

    全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”,股份代號(hào):1347.HK)宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)已成功量產(chǎn),該平臺(tái)具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢(shì),對(duì)于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。

    第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺(tái)40V DMOS擊穿電壓達(dá)到52V,其導(dǎo)通電阻低至 20 mOhm.mm2,達(dá)到該節(jié)點(diǎn)領(lǐng)先工藝水平,可提高產(chǎn)品的驅(qū)動(dòng)能力,減小芯片面積,擴(kuò)大高壓管安全工作區(qū)(Safe-Operation-Area, SOA),保證產(chǎn)品的高可靠性。該工藝平臺(tái)最少光罩層數(shù)為18層。該工藝平臺(tái)提供豐富的可選擇器件,包括高阻、電容、Zener二極管、肖特基二極管等。此外,該平臺(tái)還提供in-house設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)、SRAM編譯器、IO和eFuse,從而為電源管理芯片提供完善的設(shè)計(jì)解決方案。目前,在與國(guó)內(nèi)外多家客戶緊密合作下,公司已完成應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、快充、通訊、安防、DC-DC、LDO等多個(gè)領(lǐng)域芯片產(chǎn)品的驗(yàn)證,并成功進(jìn)入量產(chǎn)。

     

    以綠色科技為主導(dǎo),電源管理技術(shù)扮演著舉足輕重的地位。華虹半導(dǎo)體已引入全面的電源管理(PMIC)BCD工藝方案,在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米節(jié)點(diǎn)上積累了豐富的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。未來(lái),華虹半導(dǎo)體將繼續(xù)發(fā)揮在BCD和eNVM特色工藝上的技術(shù)優(yōu)勢(shì),提供二者的集成方案,為智能化電源產(chǎn)品,打造高端電源管理系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)。

    ‍‍‍‍‍華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導(dǎo)體一直將電源管理平臺(tái)視作工藝研發(fā)的重點(diǎn)之一,第二代0.18微米5V/40V BCD工藝量產(chǎn)標(biāo)志著我們?cè)赑MIC領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力再度提升。展望未來(lái),我們還將持續(xù)拓展更先進(jìn)的智能電源管理平臺(tái),為客戶提供差異化技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。”

    本文來(lái)源:華虹宏力


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